Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET, 199 A, 40 V Enhancement, 8-Pin Tape & Reel IAUZN04S7L012ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 0,76

(excl. BTW)

€ 0,92

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 5.000 stuk(s) vanaf 16 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 24€ 0,76
25 - 99€ 0,65
100 - 499€ 0,48
500 - 999€ 0,38
1000 +€ 0,37

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
762-929
Fabrikantnummer:
IAUZN04S7L012ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

199A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

Tape & Reel

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.25mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.95V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

94W

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

2.29mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

1.1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Land van herkomst:
MY
The Infineon Automotive MOSFET Power-Transistor is an N-channel, enhancement-mode MOSFET designed for automotive applications. It operates in high-temperature conditions and features robust construction. Extended qualification beyond AEC-Q101.

Enhanced electrical testing

Robust design

RoHS compliant

100% Avalanche tested

Gerelateerde Links