Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET, 193 A, 40 V Enhancement, 8-Pin Tape & Reel IAUZN04S7N013ATMA2

Bekijk alle MOSFETs
Momenteel niet beschikbaar
Sorry, we weten niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.
RS-stocknr.:
762-930
Fabrikantnummer:
IAUZN04S7N013ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

193A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

OptiMOS

Package Type

Tape & Reel

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.33mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

37nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.95V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

94W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Height

1.1mm

Length

2.29mm

Width

2.29mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Land van herkomst:
MY
The Infineon Automotive MOSFET Power-Transistor is an N-channel, enhancement-mode MOSFET designed for automotive applications. It operates in high-temperature conditions and features robust construction. Extended qualification beyond AEC-Q101.

Enhanced electrical testing

Robust design

RoHS compliant

100% Avalanche tested

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.