Fabrikantnummer

IXYS GigaMOS Trench HiperFET N-Channel MOSFET, 360 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN360N10T

RS-stocknr.:: 125-8041
Artikelnummer Distrelec:: 302-53-370
Fabrikantnummer:: IXFN360N10T
Fabrikant:: IXYS

IXYS GigaMOS Trench HiperFET N-Channel MOSFET, 360 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN360N10T

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 30,77

(excl. BTW)

€ 37,23

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 90,00

Op voorraad

16 stuk(s) klaar voor verzending
53 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Plus verzending 835 stuk(s) vanaf 06 oktober 2026

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk
1 - 1	€ 30,77
2 - 4	€ 27,73
5 - 9	€ 26,45
10 - 19	€ 25,54
20 +	€ 25,04

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 125-8041
Artikelnummer Distrelec:: 302-53-370
Fabrikantnummer:: IXFN360N10T
Fabrikant:: IXYS

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en conformiteit

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	IXYS
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	360A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	GigaMOS Trench HiperFET
	Package Type	SOT-227
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.6mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	525nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20, +20V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	830W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	25.07mm
	Length	38.23mm
	Standards/Approvals	No
	Height	9.6mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk IXYS
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 360A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series GigaMOS Trench HiperFET
	Package Type SOT-227
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.6mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 525nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20, +20V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 830W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 25.07mm
	Length 38.23mm
	Standards/Approvals No
	Height 9.6mm
	Automotive Standard No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.