IXYS GigaMOS, HiperFET Type N-Channel MOSFET, 500 A, 75 V Enhancement, 24-Pin SMPD

Subtotaal (1 tube van 20 eenheden)*

€ 373,56

(excl. BTW)

€ 452,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 11 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
20 +€ 18,678€ 373,56

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
168-4790
Fabrikantnummer:
MMIX1F520N075T2
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

500A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Package Type

SMPD

Series

GigaMOS, HiperFET

Mount Type

Surface

Pin Count

24

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

545nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

830W

Forward Voltage Vf

1.25V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

23.25 mm

Length

25.25mm

Height

5.7mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links

Recently viewed