IXYS GigaMOS, HiperFET Type N-Channel MOSFET, 600 A, 40 V Enhancement, 24-Pin SMPD

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 tube van 20 eenheden)*

€ 441,32

(excl. BTW)

€ 534,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Bestellingen onder € 75,00 (excl. BTW) € 5,95.
Op voorraad
  • 80 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
20 +€ 22,066€ 441,32

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
168-4791
Fabrikantnummer:
MMIX1T600N04T2
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

600A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SMPD

Series

GigaMOS, HiperFET

Mount Type

Surface

Pin Count

24

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

830W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

590nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

5.7mm

Standards/Approvals

No

Width

23.25 mm

Length

25.25mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
DE

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links

Recently viewed