IXYS GigaMOS, HiperFET Type N-Channel MOSFET, 550 A, 55 V Enhancement, 24-Pin SMPD

Subtotaal (1 tube van 20 eenheden)*

€ 828,76

(excl. BTW)

€ 1.002,80

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 02 februari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
20 +€ 41,438€ 828,76

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
168-4794
Fabrikantnummer:
MMIX1T550N055T2
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

550A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

SMPD

Series

GigaMOS, HiperFET

Mount Type

Surface

Pin Count

24

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

595nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

830W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

5.7mm

Length

25.25mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
DE

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.