Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA06DP-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 5 eenheden)*

€ 5,18

(excl. BTW)

€ 6,27

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 17 mei 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
5 - 45€ 1,036€ 5,18
50 - 245€ 0,88€ 4,40
250 - 495€ 0,728€ 3,64
500 - 1245€ 0,684€ 3,42
1250 +€ 0,644€ 3,22

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
787-9373
Fabrikantnummer:
SIRA06DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.73V

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.25mm

Height

1.12mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links