Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 58 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA14DP-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 10 eenheden)*

€ 4,73

(excl. BTW)

€ 5,72

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.000 stuk(s) vanaf 13 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
10 - 90€ 0,473€ 4,73
100 - 490€ 0,448€ 4,48
500 - 990€ 0,402€ 4,02
1000 - 2490€ 0,293€ 2,93
2500 +€ 0,265€ 2,65

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
787-9389
Fabrikantnummer:
SIRA14DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

58A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

31.2W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.4nC

Forward Voltage Vf

0.76V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1.12mm

Length

6.25mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links