Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIRA14BDP-T1-GE3

Afbeelding representeert productcategorie

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 0,55

(excl. BTW)

€ 0,67

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 10 augustus 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Rol(len)
Per rol
1 - 24€ 0,55
25 - 99€ 0,36
100 - 499€ 0,19
500 +€ 0,18

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-115
Fabrikantnummer:
SIRA14BDP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0105Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12.2nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

17W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Width

5.3mm

Length

6.25mm

Height

1.1mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
TW
The Vishay N channel MOSFET is designed for efficient and reliable power switching in high-performance power electronics. it is fully Rg and UIS tested to ensure robustness under electrical stress and demanding operating conditions. optimized for low losses and fast switching, it supports Compact high power density designs while meeting RoHS compliant and halogen free requirements.

Offers 100 percent Rg and UIS testing for proven device reliability

Supports high power density dc/dc converter applications

Enables efficient synchronous rectification performance

Complies with RoHS standards and halogen free requirements

Gerelateerde Links