Infineon IPP65R190CFD7A Type N-Channel MOSFET, 14 A, 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 5,92

(excl. BTW)

€ 7,16

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 500 stuk(s) vanaf 19 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 2,96€ 5,92
10 - 18€ 2,695€ 5,39
20 - 24€ 2,635€ 5,27
26 - 48€ 2,465€ 4,93
50 +€ 2,285€ 4,57

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-3022
Fabrikantnummer:
IPP65R190CFD7AAKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

14A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

IPP65R190CFD7A

Package Type

PG-TO220-3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

190mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

77W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

AECQ101, RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon 650V cool MOS N channel automotive SJ power MOSFET. It has highest reliability in the field meeting automotive lifetime requirements.

Enabling of higher power density designs

Granular portfolio available

Gerelateerde Links