Infineon IPP Type N-Channel MOSFET, 36.23 A, 700 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP65R060CFD7XKSA1

Subtotaal (1 tube van 50 eenheden)*

€ 156,00

(excl. BTW)

€ 189,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 400 stuk(s) vanaf 19 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
50 +€ 3,12€ 156,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-3019
Fabrikantnummer:
IPP65R060CFD7XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

36.23A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Package Type

PG-TO220-3

Series

IPP

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

171W

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

68nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC, RoHS

The Infineon 650V cool MOS CFD7 super junction MOSFET in a TO-220 package is ideally suited for resonant topologies in industrial applications, such as server, telecom, solar and EV charging stations, in which it enables significant efficiency improvement

Excellent hard-commutation ruggedness

Extra safety margin for designs with increased bus voltage

Enabling increased power density

Gerelateerde Links