Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET, 27 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 842,50

(excl. BTW)

€ 1.020,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 10.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,337€ 842,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
215-2505
Fabrikantnummer:
IPD33CN10NGATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

27A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

OptiMOS 2

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

33mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

58W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).

N-channel, normal level

Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Very low on-resistance R DS(on)

Pb-free lead plating

Qualified according to JEDEC for target application

Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

Gerelateerde Links