Vishay SIHB21N80AE N channel-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB21N80AE-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 3,90

(excl. BTW)

€ 4,72

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 25 augustus 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Rol(len)
Per rol
1 - 9€ 3,90
10 - 49€ 2,41
50 - 99€ 1,87
100 +€ 1,44

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-128
Fabrikantnummer:
SIHB21N80AE-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

17.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-263

Series

SIHB21N80AE

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.205Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

0.42mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

0.355mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
IL
The Vishay Power MOSFET designed for efficient operation in power supplies and other applications, aimed at reducing energy losses and enhancing reliability.

Compact D2PAK package for space-saving designs

Reduced switching and conduction losses for improved performance

Gerelateerde Links