Vishay SiHW21N80AE N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHW21N80AE-GE3

Momenteel niet beschikbaar
Sorry, we weten niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.
RS-stocknr.:
188-4880
Fabrikantnummer:
SIHW21N80AE-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

17.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

SiHW21N80AE

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

235mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

32W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

5.31mm

Length

16.26mm

Height

21.46mm

Automotive Standard

No

E Series Power MOSFET.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.