Vishay SiR870BDP Type N-Channel Single MOSFETs, 81 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR870BDP-T1-UE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 3.612,00

(excl. BTW)

€ 4.371,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 6.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 1,204€ 3.612,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
653-199
Fabrikantnummer:
SIR870BDP-T1-UE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

81A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK

Series

SiR870BDP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0061Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

100W

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.15mm

Standards/Approvals

No

Width

5.15 mm

Height

0.61mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 100 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK SO-8, it utilizes TrenchFET Gen IV technology to deliver low RDS(on), fast switching, and optimized thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links