Vishay SIRA12DDP Type N-Channel Single MOSFETs, 81 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 0,36

(excl. BTW)

€ 0,44

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 6.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Rol(len)
Per rol
1 - 24€ 0,36
25 - 99€ 0,32
100 - 499€ 0,29
500 - 999€ 0,25
1000 +€ 0,23

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
653-145
Fabrikantnummer:
SIRA12DDP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

81A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SIRA12DDP

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0036Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.2nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

38W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

5.15mm

Width

6.15 mm

Height

1.04mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
TH
The Vishay N-channel MOSFET optimized for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 30 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK SO-8, it utilizes TrenchFET Gen IV technology to deliver ultra-low RDS(on), fast switching, and excellent thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links