Vishay SiR870BDP Type N-Channel MOSFET, 81 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR870BDP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 28,33

(excl. BTW)

€ 34,28

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 10 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 2,833€ 28,33
50 - 90€ 2,269€ 22,69
100 - 240€ 1,996€ 19,96
250 - 490€ 1,944€ 19,44
500 +€ 1,896€ 18,96

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
204-7224
Fabrikantnummer:
SiR870BDP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

81A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SiR870BDP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

100W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

110nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.26mm

Height

6.25mm

Width

1.12 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET has a very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM) and is tuned for the lowest RDS x Qoss FOM.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links