Starpower DOSEMI Single Switch-Channel SiC Mosfet without Diode, 37 A, 1.2 kV Enhancement, 4-Pin Tape & Reel

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 7,17

(excl. BTW)

€ 8,68

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 31 stuk(s) vanaf 02 november 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 7,17
10 - 99€ 6,45
100 - 499€ 5,94
500 - 999€ 5,52
1000 +€ 4,49

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
427-759
Fabrikantnummer:
DM800S12TDRB
Fabrikant:
Starpower
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Starpower

Product Type

SiC Mosfet without Diode

Channel Type

Single Switch

Maximum Continuous Drain Current Id

37A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.2kV

Package Type

Tape & Reel

Series

DOSEMI

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

105mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22V

Maximum Power Dissipation Pd

162W

Forward Voltage Vf

4.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Starpower MOSFET Power Discrete provides ultralow conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as hybrid and electric vehicle.

SiC power MOSFET

Low RDS(on)

Low inductance case avoid oscillations

ROHS

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.