Starpower DOSEMI Single Switch-Channel SiC Mosfet without Diode, 37 A, 1200 V N, 4-Pin Tape & Reel DM800S12TDRB

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 7,17

(excl. BTW)

€ 8,68

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 10 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Plus verzending 30 stuk(s) vanaf 10 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 7,17
10 - 99€ 6,45
100 - 499€ 5,94
500 - 999€ 5,52
1000 +€ 4,49

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
427-759
Fabrikantnummer:
DM800S12TDRB
Fabrikant:
Starpower
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Starpower

Channel Type

Single Switch

Product Type

SiC Mosfet without Diode

Maximum Continuous Drain Current Id

37A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

DOSEMI

Package Type

Tape & Reel

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

105mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Maximum Power Dissipation Pd

162W

Forward Voltage Vf

4.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Starpower MOSFET Power Discrete provides ultralow conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as hybrid and electric vehicle.

SiC power MOSFET

Low RDS(on)

Low inductance case avoid oscillations

ROHS

Gerelateerde Links