onsemi SiC Power Module, 1200 V F1-2PACK

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
248-5823
Fabrikantnummer:
NXH010P120MNF1PTG
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Product Type

SiC Power Module

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

F1-2PACK

Mount Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

SiC Module - EliteSiC 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 10 mohm SiC M1 MOSFET Press-fit pins, Thermal Interface Material


The ON Semiconductor is a power module containing an 10 mohm/1200 V SiC MOSFET half bridge and a thermistor in an F1 package.

10 mohm/1200 V SiC MOSFET half bridge

Options with pre−applied thermal interface material and without pre−applied TIM

Press−fit pins

Gerelateerde Links