Infineon F3L150R07W2H3B11BPSA1 IGBT Module, 85 A 650 V

Subtotaal (1 tray van 15 eenheden)*

€ 1.263,135

(excl. BTW)

€ 1.528,395

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 28 december 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tray*
15 +€ 84,209€ 1.263,14

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
248-1201
Fabrikantnummer:
F3L150R07W2H3B11BPSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

85 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

4

Maximum Power Dissipation

20 mW

The Infineon makes this EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-level IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT H3 and rapid diode and PressFIT / NTC. This device offers easy of use compact design, optimized performance. The device provides added benefits like increased blocking voltage capability up to 650 V, low inductive design, low switching losses and low VCE,sat. It uses an Al2O3 substrate with low thermal resistance and PressFIT contact technology. This device offers rugged mounting due to integrated mounting clamp. This device uses IGBT HighSpeed 3 technology.

Best cost-performance ratio with reduced system costs
High degree of freedom in design
Highest efficiency and power density

Gerelateerde Links