Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel Power MOSFET, 4.5 A, 12 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SIA517DJ-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 10,18

(excl. BTW)

€ 12,32

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 180€ 0,509€ 10,18
200 - 480€ 0,448€ 8,96
500 - 980€ 0,377€ 7,54
1000 - 1980€ 0,357€ 7,14
2000 +€ 0,309€ 6,18

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
814-1225
Fabrikantnummer:
SIA517DJ-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P, Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-70

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

170mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.7nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Power Dissipation Pd

6.5W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Standards/Approvals

No

Height

0.8mm

Length

2.15mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links