Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel Power MOSFET, 4.5 A, 12 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SIA517DJ-T1-GE3

Momenteel niet beschikbaar
Sorry, we weten niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.
RS-stocknr.:
165-7183
Fabrikantnummer:
SIA517DJ-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type P, Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Package Type

SC-70

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

170mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-8V, +8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

6.5W

Maximum Operating Temperature

+150°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

No

Width

2.15mm

Length

2.15mm

Height

800μm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.