Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 1.1 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 SI1967DH-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 50 eenheden)*

€ 13,90

(excl. BTW)

€ 16,80

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 250 stuk(s) vanaf 20 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
50 - 200€ 0,278€ 13,90
250 - 450€ 0,208€ 10,40
500 - 1200€ 0,194€ 9,70
1250 - 2450€ 0,167€ 8,35
2500 +€ 0,144€ 7,20

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
812-3108
Fabrikantnummer:
SI1967DH-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-88

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

790mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.6nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.25W

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

No

Length

2.2mm

Height

1mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links