Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 43 A, 150 V, 3-Pin TO-263 IRF3415STRLPBF
- RS-stocknr.:
- 258-8194
- Fabrikantnummer:
- IRF3415STRLPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkortingSubtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*
€ 13,74
(excl. BTW)
€ 16,625
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 90,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending 1.600 stuk(s) vanaf 13 augustus 2026
- Plus verzending 2.400 stuk(s) vanaf 24 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,748 | € 13,74 |
| 25 - 45 | € 2,472 | € 12,36 |
| 50 - 95 | € 2,424 | € 12,12 |
| 100 - 245 | € 1,988 | € 9,94 |
| 250 + | € 1,952 | € 9,76 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 258-8194
- Fabrikantnummer:
- IRF3415STRLPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Wetgeving en conformiteit
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 43A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.042Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | EIA 418 | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 43A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.042Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals EIA 418 | ||
Automotive Standard No | ||
Gerelateerde Links
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 43 A, 150 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 43 A, 200 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 43 A, 200 V TO-263 IRFS38N20DTRLP
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 85 A, 150 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 85 A, 150 V TO-263 IRFS4321TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 43 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 43 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS3806TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 51 A, 150 V, 3-Pin TO-263