Renesas Electronics BEAM Type N-Channel MOSFET, 50 A, 30 V Enhancement, 8-Pin WPAK RJK0391DPA-00#J5A

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 7,42

(excl. BTW)

€ 8,98

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 2.940 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,484€ 7,42
50 - 95€ 1,258€ 6,29
100 - 245€ 1,076€ 5,38
250 - 995€ 1,054€ 5,27
1000 +€ 0,732€ 3,66

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
234-7153
Fabrikantnummer:
RJK0391DPA-00#J5A
Fabrikant:
Renesas Electronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Renesas Electronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

WPAK

Series

BEAM

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0029Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

50W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

Pb-Free, Halogen-Free

Length

6.1mm

Height

0.85mm

Width

5.9 mm

Automotive Standard

No

The Renesas Electronics N-channel single power MOSFET suitable for switching and load switch applications. It has high breakdown voltage of 30 V. It is capable of 4.5 V gate drive.

High speed switching

Low drive current

High density mounting

Low on-resistance

Pb-free

Halogen-free

Gerelateerde Links