Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V Enhancement, 4-Pin PQFN IRFH5250TRPBF

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 13,60

(excl. BTW)

€ 16,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 16.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 1,36€ 13,60
50 - 90€ 1,29€ 12,90
100 - 240€ 1,237€ 12,37
250 - 490€ 1,183€ 11,83
500 +€ 1,103€ 11,03

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4745
Fabrikantnummer:
IRFH5250TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Package Type

PQFN

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

52nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

3.6W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

6mm

Width

4.75 mm

Height

0.9mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDSon (<1.15 mΩ)

Low Thermal Resistance to PCB (<0.8°C/W)

100% Rg tested

Low Profile (<0.9 mm)

Gerelateerde Links