Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 128 A, 75 V, 3-Pin TO-263
- RS-stocknr.:
- 218-3117
- Fabrikantnummer:
- IRFS3307ZTRRPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 rol van 800 eenheden)*
€ 1.018,40
(excl. BTW)
€ 1.232,00
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 75,00
Op voorraad
- 1.600 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per rol* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | € 1,273 | € 1.018,40 |
| 1600 + | € 1,209 | € 967,20 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 218-3117
- Fabrikantnummer:
- IRFS3307ZTRRPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en conformiteit
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 128A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.8mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 230W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 110nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 4.83 mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Height | 9.65mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 128A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.8mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 230W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 4.83 mm | ||
Length 10.67mm | ||
Height 9.65mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon HEXFET series single N-Channel Power MOSFET integrated with D2PAK (TO-263) type package.
Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Gerelateerde Links
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 128 A, 75 V, 3-Pin TO-263 IRFS3307ZTRRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 128 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 128 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS3307ZTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 80 A, 75 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 230 A, 75 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 170 A, 75 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 230 A, 75 V TO-263 IRFS3107TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 80 A, 75 V TO-263 IRFS3607TRLPBF