Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V TO-263 IRFB3307PBF

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 4,93

(excl. BTW)

€ 5,966

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 2,465€ 4,93
20 - 48€ 2,225€ 4,45
50 - 98€ 2,075€ 4,15
100 - 198€ 1,945€ 3,89
200 +€ 1,795€ 3,59

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
257-5799
Fabrikantnummer:
IRFB3307PBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

PCB

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.3mΩ

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

200W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Industry standard through-hole power package

High-current rating

Gerelateerde Links