Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 80 A, 75 V TO-263
- RS-stocknr.:
- 257-9425
- Fabrikantnummer:
- IRFS3607TRLPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*
€ 1.356,00
(excl. BTW)
€ 1.641,00
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 75,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending vanaf 31 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per rol* |
|---|---|---|
| 3000 + | € 0,452 | € 1.356,00 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 257-9425
- Fabrikantnummer:
- IRFS3607TRLPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en conformiteit
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 140W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 140W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFS series is the 75V single n channel HEXFET power mosfet in a D2 Pak package.
Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
Fully characterized capacitance and avalanche SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Gerelateerde Links
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 80 A, 75 V TO-263 IRFS3607TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 230 A, 75 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 170 A, 75 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 230 A, 75 V TO-263 IRFS3107TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 170 A, 75 V TO-263 IRFS3207ZTRRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET, 75 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET, 75 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF2807ZSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 260 A, 75 V, 7-Pin TO-263