Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 51 A, 55 V, 3-Pin TO-263 IRFZ46ZSTRLPBF
- RS-stocknr.:
- 214-4464
- Fabrikantnummer:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkortingSubtotaal (1 verpakking van 15 eenheden)*
€ 17,28
(excl. BTW)
€ 20,91
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 90,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending vanaf 12 januari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | € 1,152 | € 17,28 |
| 75 - 135 | € 1,095 | € 16,43 |
| 150 - 360 | € 1,071 | € 16,07 |
| 375 - 735 | € 1,003 | € 15,05 |
| 750 + | € 0,933 | € 14,00 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 214-4464
- Fabrikantnummer:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en conformiteit
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 51A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.6mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 82W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 46nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 51A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.6mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 82W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon Strong IRFET power MOSFET is optimized for low RDS(on) and high current capability. It is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.
It is optimized for synchronous rectification
Gerelateerde Links
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 51 A, 55 V, 3-Pin TO-263 IRFZ46ZSTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 51 A, 55 V TO-263 IRLZ44ZSTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 64 A, 55 V TO-263 IRFZ48NSTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 131 A, 55 V TO-263 IRF1405STRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 51 A, 150 V, 3-Pin TO-263 IRFS52N15DTRLP
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 89 A, 55 V, 3-Pin TO-263 IRL3705NSTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 29 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 86 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263