Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET, 1.5 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 177,00

(excl. BTW)

€ 213,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 6.000 stuk(s) vanaf 26 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 - 3000€ 0,059€ 177,00
6000 - 12000€ 0,056€ 168,00
15000 +€ 0,054€ 162,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
214-4331
Fabrikantnummer:
BSD214SNH6327XTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

1.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

OptiMOS 2

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

250mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.8nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Power Dissipation Pd

0.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.35 mm

Standards/Approvals

No

Length

2.02mm

Height

1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™2 Small-Signal-Transistor are Qualified according to AEC Q101.

N-channel

Enhancement mode

Super Logic level (2.5V rated)

Gerelateerde Links