STMicroelectronics SCTL35N65G2V Type N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerFLAT SCTL35N65G2V

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 14,44

(excl. BTW)

€ 17,47

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 19 april 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 49€ 14,44
50 - 99€ 14,05
100 - 249€ 13,69
250 +€ 13,36

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
213-3942
Fabrikantnummer:
SCTL35N65G2V
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PowerFLAT

Series

SCTL35N65G2V

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

67mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

417W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73nC

Forward Voltage Vf

3.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

0.95mm

Length

8.1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

Gerelateerde Links