STMicroelectronics SCTL35N65G2V Type N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerFLAT SCTL35N65G2V

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 14,05

(excl. BTW)

€ 17,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 28 januari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 49€ 14,05
50 - 99€ 13,68
100 - 249€ 13,33
250 +€ 13,00

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
213-3942
Fabrikantnummer:
SCTL35N65G2V
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SCTL35N65G2V

Package Type

PowerFLAT

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

67mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

3.3V

Maximum Power Dissipation Pd

417W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

8.1 mm

Standards/Approvals

No

Length

8.1mm

Height

0.95mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

Gerelateerde Links

Recently viewed