STMicroelectronics SCTL35N65G2V Type N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerFLAT

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 40.359,00

(excl. BTW)

€ 48.834,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 08 januari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 13,453€ 40.359,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
213-3941
Fabrikantnummer:
SCTL35N65G2V
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SCTL35N65G2V

Package Type

PowerFLAT

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

67mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

417W

Forward Voltage Vf

3.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

8.1 mm

Height

0.95mm

Length

8.1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

Gerelateerde Links