Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 108 A, 45 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 50 eenheden)*

€ 37,65

(excl. BTW)

€ 45,55

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 10 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
50 - 50€ 0,753€ 37,65
100 - 200€ 0,678€ 33,90
250 - 450€ 0,489€ 24,45
500 - 1200€ 0,452€ 22,60
1250 +€ 0,414€ 20,70

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
200-6847
Fabrikantnummer:
SISS50DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

108A

Maximum Drain Source Voltage Vds

45V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET Gen IV

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

70nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

3.3mm

Standards/Approvals

No

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

The Vishay SISS50DN-T1-GE3 is a N-channel 45V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS(on) in a compact and thermally enhanced package

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links