Fabrikantnummer

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS476DN-T1-GE3

RS-stocknr.:: 180-7743
Fabrikantnummer:: SIS476DN-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS476DN-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 11,59

(excl. BTW)

€ 14,02

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 27 september 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
10 - 90	€ 1,159	€ 11,59
100 - 240	€ 1,103	€ 11,03
250 - 490	€ 0,894	€ 8,94
500 - 990	€ 0,696	€ 6,96
1000 +	€ 0,65	€ 6,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 180-7743
Fabrikantnummer:: SIS476DN-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en conformiteit

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PowerPAK 1212-8
	Series	TrenchFET Gen IV
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0035Ω
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	51nC
	Maximum Power Dissipation Pd	52W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Width	3.61mm
	Length	3.61mm
	Height	1.12mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PowerPAK 1212-8
	Series TrenchFET Gen IV
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0035Ω
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC
	Maximum Power Dissipation Pd 52W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Width 3.61mm
	Length 3.61mm
	Height 1.12mm
	Automotive Standard No

Datasheet

Land van herkomst:: CN

The Vishay SIS476DN is a N-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 30V. The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having Power PAK 1212-8 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.0025ohms at 10VGS and 0.0035ohms at 4.5VGS. Maximum drain current 40A.

Trench FET gen IV power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.