Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.338,00

(excl. BTW)

€ 1.620,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 03 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,446€ 1.338,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
180-7361
Fabrikantnummer:
SIS476DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET Gen IV

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0035Ω

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.61 mm

Standards/Approvals

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Height

1.12mm

Length

3.61mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay SIS476DN is a N-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 30V. The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having Power PAK 1212-8 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.0025ohms at 10VGS and 0.0035ohms at 4.5VGS. Maximum drain current 40A.

Trench FET gen IV power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links