Vishay SiS862ADN Type N-Channel MOSFET, 52 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SIS862ADN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 20,75

(excl. BTW)

€ 25,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Bestellingen onder € 75,00 (excl. BTW) € 5,95.
Laatste voorraad RS
  • Laatste 8.900 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 100€ 0,83€ 20,75
125 - 225€ 0,747€ 18,68
250 - 600€ 0,705€ 17,63
625 - 1225€ 0,539€ 13,48
1250 +€ 0,465€ 11,63

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-4951
Artikelnummer Distrelec:
304-38-850
Fabrikantnummer:
SIS862ADN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

52A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SiS862ADN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

11mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.8nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.07mm

Length

3.15mm

Standards/Approvals

No

Width

3.15 mm

Automotive Standard

No

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

Gerelateerde Links

Recently viewed