Fabrikantnummer

Vishay SiSS92DN N-Channel MOSFET, 12.3 A, 250 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS92DN-T1-GE3

RS-stocknr.:: 188-4960
Artikelnummer Distrelec:: 304-32-538
Fabrikantnummer:: SiSS92DN-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay SiSS92DN N-Channel MOSFET, 12.3 A, 250 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS92DN-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 10,01

(excl. BTW)

€ 12,11

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 09 augustus 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
10 - 90	€ 1,001	€ 10,01
100 - 240	€ 0,983	€ 9,83
250 - 490	€ 0,851	€ 8,51
500 - 990	€ 0,65	€ 6,50
1000 +	€ 0,53	€ 5,30

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 188-4960
Artikelnummer Distrelec:: 304-32-538
Fabrikantnummer:: SiSS92DN-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en conformiteit

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	12.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	250V
	Series	SiSS92DN
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	190mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10.4nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	65.8W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	780μm
	Length	3.3mm
	Standards/Approvals	No
	Width	3.3mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 12.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 250V
	Series SiSS92DN
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 190mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.4nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 65.8W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 780μm
	Length 3.3mm
	Standards/Approvals No
	Width 3.3mm
	Automotive Standard No

Datasheet SiSS92DN-T1-GE3

N-Channel 250 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® with ThunderFET technology optimizes balance of RDS(on), Qg, Qsw, and Qoss

Leadership RDS(on) and RDS-Coss FOM

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.