Vishay SiSS52DN Type N-Channel MOSFET, 162 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS52DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 9,57

(excl. BTW)

€ 11,58

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 14.430 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,957€ 9,57
100 - 240€ 0,938€ 9,38
250 - 490€ 0,736€ 7,36
500 - 990€ 0,67€ 6,70
1000 +€ 0,536€ 5,36

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
210-5016
Fabrikantnummer:
SiSS52DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

162A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SiSS52DN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.95mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43.2nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3.4mm

Height

0.83mm

Width

3.4 mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 30 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type.

TrenchFET Gen V power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Enables higher power density with very low RDS(on) and thermally enhanced compact package

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links