Fabrikantnummer

Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6L

RS-stocknr.:: 178-3901P
Fabrikantnummer:: SiA106DJ-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6L

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal 50 eenheden (geleverd op een doorlopende strip)*

€ 42,25

(excl. BTW)

€ 51,10

(incl. BTW)

Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Aantal stuks	Per stuk
50 - 90	€ 0,845
100 - 490	€ 0,794
500 - 990	€ 0,748
1000 +	€ 0,656

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 178-3901P
Fabrikantnummer:: SiA106DJ-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay Siliconix

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en conformiteit

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay Siliconix
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SC-70-6L
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0185Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	19W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6.9nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1mm
	Standards/Approvals	No
	Length	2.2mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay Siliconix
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SC-70-6L
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0185Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 19W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.9nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1mm
	Standards/Approvals No
	Length 2.2mm
	Automotive Standard No

Datasheet

Vrijgesteld

Land van herkomst:: CN

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS – Qoss

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.