Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6L SiA106DJ-T1-GE3

Momenteel niet beschikbaar
Sorry, we weten niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.
RS-stocknr.:
178-3667
Fabrikantnummer:
SiA106DJ-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-70-6L

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0185Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

19W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.9nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

2.2mm

Width

1.35mm

Height

1mm

Automotive Standard

No

Vrijgesteld

Land van herkomst:
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS – Qoss

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.