IXYS Trench Type N-Channel MOSFET, 110 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 187,47

(excl. BTW)

€ 226,83

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 30 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 +€ 6,249€ 187,47

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
168-4583
Fabrikantnummer:
IXTH110N25T
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Series

Trench

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

24mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

694W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

157nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

16.26mm

Width

5.3 mm

Standards/Approvals

No

Height

21.46mm

Automotive Standard

No

N-Channel Trench-Gate Power MOSFET, IXYS


Trench Gate MOSFET Technology

Low on-state Resistance RDS(on)

Superior avalanche ruggedness

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links