IXYS Trench Type N-Channel MOSFET, 110 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXTH110N25T

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 10,21

(excl. BTW)

€ 12,35

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 41 stuk(s) vanaf 19 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 10,21
5 - 9€ 9,39
10 - 24€ 8,83
25 - 49€ 7,62
50 +€ 7,29

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
125-8047
Artikelnummer Distrelec:
302-53-421
Fabrikantnummer:
IXTH110N25T
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Package Type

TO-247

Series

Trench

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

24mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

157nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

694W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

16.26mm

Height

21.46mm

Width

5.3 mm

Automotive Standard

No

N-Channel Trench-Gate Power MOSFET, IXYS


Trench Gate MOSFET Technology

Low on-state Resistance RDS(on)

Superior avalanche ruggedness

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links