Vishay SiS892ADN N-Channel Power MOSFET, 28 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS892ADN-T1-GE3

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
165-6981
Fabrikantnummer:
SIS892ADN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

28A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK 1212-8

Series

SiS892ADN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.033Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.1nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Forward Voltage Vf

800mV

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.4mm

Length

3.4mm

Height

1.12mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.