Microchip Half Bridge Phase Leg SiC MOSFET N channel-Channel MOSFET Modules, 266 A, 1200 V Enhancement

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 128,81

(excl. BTW)

€ 155,86

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 04 mei 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 +€ 128,81

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
931-018
Fabrikantnummer:
MSCSMC120AM04TBZ2AEG
Fabrikant:
Microchip
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Microchip

Product Type

MOSFET Modules

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

266A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

Phase Leg SiC MOSFET

Mount Type

Direct Mount

Maximum Drain Source Resistance Rds

6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

766W

Forward Voltage Vf

4.7V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

23V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

726nC

Transistor Configuration

Half Bridge

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Microchip Advanced power module offers a highly efficient phase leg solution, designed specifically for demanding applications where reliability and performance are critical.

Utilises Silicon Carbide technology for reduced energy loss

Features low R over temperature drift, ensuring stable operation

Incorporates an internal thermistor for precise temperature oversight

Delivers outstanding performance in high-frequency environments

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.