Infineon StrongIRFET N channel-Channel Power MOSFET, 119 A, 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB023N03LF2SATMA1

Afbeelding representeert productcategorie

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 1,67

(excl. BTW)

€ 2,02

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 800 stuk(s) vanaf 13 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 1,67
10 - 24€ 1,40
25 - 99€ 0,86
100 - 499€ 0,85
500 +€ 0,83

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
762-990
Fabrikantnummer:
IPB023N03LF2SATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

119A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PG-TO263-3

Series

StrongIRFET

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.35mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

107W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Height

4.83mm

Length

15.88mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Infineon StrongIRFET 2 Power Transistor is a 30V N-channel MOSFET suitable for various applications. It operates in extreme conditions, with a maximum temperature rating of 175°C and conforms to environmental regulations.

100% avalanche tested

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen-free according to IEC61249-2-21

Gerelateerde Links