Infineon StrongIRFET N channel-Channel Power MOSFET, 125 A, 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB018N03LF2SATMA1

Afbeelding representeert productcategorie

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 1,73

(excl. BTW)

€ 2,09

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 800 stuk(s) vanaf 13 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 1,73
10 - 24€ 1,45
25 - 99€ 0,90
100 - 499€ 0,88
500 +€ 0,85

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
762-987
Fabrikantnummer:
IPB018N03LF2SATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

125A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

StrongIRFET

Package Type

PG-TO263-3

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

167W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

15.88mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

4.83mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Infineon StrongIRFET 2 Power Transistor is a 30V N-channel MOSFET suitable for various applications. It operates in extreme conditions, with a maximum temperature rating of 175°C and conforms to environmental regulations.

100% avalanche tested

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen-free according to IEC61249-2-21

Gerelateerde Links