Vishay SISS5208DN Type N-Channel Single MOSFETs, 172 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SISS5208DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.932,00

(excl. BTW)

€ 2.337,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 6.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,644€ 1.932,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
653-148
Fabrikantnummer:
SISS5208DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

172A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

PowerPAK

Series

SISS5208DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0013Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24.6nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

7 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.83mm

Standards/Approvals

No

Width

3.40 mm

Length

3.40mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 20 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK 1212-8S, it utilizes TrenchFET Gen V technology to deliver ultra-low RDS(on), fast switching, and excellent thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links