Vishay SIRA10DDP Type N-Channel Single MOSFETs, 96 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIRA10DDP-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 696,00

(excl. BTW)

€ 843,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 6.000 stuk(s) vanaf 01 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,232€ 696,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
653-141
Fabrikantnummer:
SIRA10DDP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

96A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK

Series

SIRA10DDP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0031Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Maximum Power Dissipation Pd

43W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6.15 mm

Length

5.15mm

Standards/Approvals

No

Height

1.04mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 30 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK SO-8, it utilizes TrenchFET Gen IV technology to deliver ultra-low RDS(on), fast switching, and excellent thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links