Vishay SQJ190 Type N-Channel Single MOSFETs, 19.6 A, 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJ190ELP-T1_GE3

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 945,00

(excl. BTW)

€ 1.143,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 20 augustus 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,315€ 945,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
653-119
Fabrikantnummer:
SQJ190ELP-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

19.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SQJ190

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.058Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

45W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.07mm

Length

5.13mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Width

6.22 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay Automotive-grade N-channel MOSFET engineered for high-efficiency switching in power-dense environments. It supports up to 100 V drain-source voltage and operates reliably at junction temperatures up to 175 °C. Packaged in PowerPAK SO-8L, it utilizes TrenchFET technology for optimized thermal and electrical performance.

AEC Q101 qualified

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links